مواصفات التكنولوجيا MT53E128M32D2DS-046 AAT:A
المواصفات الفنية Micron Technology Inc. - MT53E128M32D2DS-046 AAT:A والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Micron Technology Inc. - MT53E128M32D2DS-046 AAT:A
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Micron Technology | |
| كتابة دورة الزمن - كلمة، الصفحة | - | |
| الجهد - توريد | 1.1V | |
| تكنولوجيا | SDRAM - Mobile LPDDR4 | |
| تجار الأجهزة حزمة | 200-WFBGA (10x14.5) | |
| سلسلة | Automotive, AEC-Q100 | |
| حزمة / كيس | 200-WFBGA | |
| طَرد | Tray | |
| درجة حرارة التشغيل | -40°C ~ 105°C (TC) |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| تصاعد نوع | Surface Mount | |
| نوع الذاكرة | Volatile | |
| حجم الذاكرة | 4Gbit | |
| تنظيم الذاكرة | 128M x 32 | |
| واجهة الذاكرة | - | |
| تنسيق الذاكرة | DRAM | |
| تردد على مدار الساعة | 2.133 GHz | |
| رقم المنتج الأساسي | MT53E128 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Micron Technology Inc. MT53E128M32D2DS-046 AAT:A.
| سمة المنتج |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | MT53E128M32D2DS-046 AAT:A | MT53D768M64D8JS-053 WT:D | MT53E128M16D1DS-053 IT:A | MT53D768M64D4NZ-046 WT:A |
| الصانع | Micron Technology Inc. | Micron Technology Inc. | Micron Technology Inc. | Micron Technology Inc. |
| تنسيق الذاكرة | DRAM | DRAM | DRAM | DRAM |
| حزمة / كيس | 200-WFBGA | 366-VFBGA | 200-WFBGA | - |
| طَرد | Tray | Tray | Bulk | Box |
| تنظيم الذاكرة | 128M x 32 | 768M x 64 | 128M x 16 | 768M x 64 |
| تكنولوجيا | SDRAM - Mobile LPDDR4 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
| كتابة دورة الزمن - كلمة، الصفحة | - | - | - | - |
| نوع الذاكرة | Volatile | Volatile | Volatile | Volatile |
| تجار الأجهزة حزمة | 200-WFBGA (10x14.5) | 366-VFBGA (12x12.7) | 200-WFBGA (10x14.5) | - |
| حجم الذاكرة | 4Gbit | 48Gbit | 2Gbit | 48Gbit |
| الجهد - توريد | 1.1V | 1.1V | 1.06V ~ 1.17V | 1.1V |
| تصاعد نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | - |
| سلسلة | Automotive, AEC-Q100 | - | - | - |
| واجهة الذاكرة | - | - | Parallel | - |
| درجة حرارة التشغيل | -40°C ~ 105°C (TC) | -30°C ~ 85°C (TC) | -40°C ~ 95°C (TC) | -30°C ~ 85°C (TC) |
| رقم المنتج الأساسي | MT53E128 | MT53D768 | MT53E128 | MT53D768 |
| تردد على مدار الساعة | 2.133 GHz | 1.866 GHz | 1.866 GHz | 2.133 GHz |
قم بتنزيل أوراق بيانات MT53E128M32D2DS-046 AAT:A PDF ووثائق Micron Technology Inc. لـ MT53E128M32D2DS-046 AAT:A - Micron Technology Inc..
MT53E128M32D2DS-053WT:AMicronMT53E128M32D2DS-046 AATAMicron TechnologyMT53D768M64D8JS-053 WT:DMicron Technology Inc.IC DRAM 48GBIT 1.866GHZ 366VFBGAMT53E128M16D1DS-053 IT:AMicron Technology Inc.IC DRAM 2GBIT PAR 200WFBGAMT53D768M64D4SQ-046WT:AMicron TechnologyMT53E128M16D1DS-053 AATAMicron TechnologyMT53D768M64D4NZ-046 WT:AMicron Technology Inc.IC DRAM 48GBIT 2.133GHZ FBGA QDPMT53E128M16D1DS-053 AAT:AMicron Technology Inc.IC DRAM 2GBIT 1.866GHZ WFBGAMT53D768M64D4SQ-046 WTAMicron TechnologyMT53D768M64D8SQ-053WT:EMicron TechnologyMT53E128M32D2DS-053 WT:AMicron Technology Inc.IC DRAM 4GBIT 1.866GHZ 200WFBGAMT53E128M32D2DS-053 WTAMicron TechnologyMT53E128M32D2DS-053 AATAMicron TechnologyMT53D768M64D4SQ-046 WT:AMicron Technology Inc.IC DRAM 48GBIT 2.133GHZ FBGAMT53E128M32D2DS-053 AUTAMicron TechnologyMT53E128M32D2DS-053 AAT:AMicron Technology Inc.IC DRAM 4GBIT 1.866GHZ 200WFBGAMT53E128M32D2DS-053 AUT:AMicron Technology Inc.IC DRAM 4GBIT 1.866GHZ 200WFBGAMT53E128M32D2DS-053Micron Technology| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.